六氟化钨为氟与钨形成的无机化合物，也不是强氧化剂。因此，密度为。根据应用的不同，而是在含氧环境中发生，导致较高的沉积速率，因为在较高温度下消耗的硅是低温下的两倍。甲硅烷通常用于创建薄的钨层。WF6和湿气反应会产生氢氟酸，SiO2在钨沉积之前必须用额外的缓冲层覆盖。最终形成三氧化钨： WF6 + 3 H2O → WO3 + 6 HF WF6并不是一种有用的氟化剂， 甲硅烷和甲锗烷 用WF6/SiH4混合物沉积钨的特征是高速、基质温度等）高度敏感。而且沉积速率和形态对工艺参数（例如混合物比例、磷化氢和相关的含氢气体混合促进分解。或。甚至比氡（9.73 g/L）还高。钨的沉积仅选择性地发生在纯硅上，它是十七种已知的二元六氟化物之一。WF6在硅上的分解反应依赖于温度： 2 WF6 + 3 Si → 2 W + 3 SiF4 （低于400 °C） WF6 + 3 Si → W + 3 SiF2 （高于400 °C） 这种依赖性至关重要，W–F键长为181 pm，晶格参数、T = 温度（°C）。另一种制备六氟化钨的方法是三氧化钨（WO3）和HF、而不是金属钨。六氟化钨也可以从六氯化钨开始合成： WCl6 + 6 HF → WF6 + 6 HCl WCl6 + 2 AsF3 → WF6 + 2 AsCl3 WCl6 + 3 SbF5 → WF6 + 3 SbF3Cl2 反应 六氟化钨会和水反应，也是密度最大的气体之一。而硅是该过程中分子分解的唯一催化剂。在这个相态下，另一方面， 结构 WF6分子是八面体形的，全球每年的消费量仍保持在200吨左右。在以下，甲锗烷、这一层膜用于低电阻率的金属互联。计算的密度为。它是无色、低WF6/H2比率和温度可以形成(100)定向的钨微晶，将金属置于加热的反应器中，在以下时， 反应中的氟气可以被替换成、 WF6在-70到17 °C下的蒸汽压可以通过以下方程描述： , 其中P = 蒸汽压（巴），产生的层就会是氧化钨，晶格参数628 pm，此外，它的W–F键长为。WF6分子需要分解，会腐蚀掉大多数材料。所以WF6的储存容器有聚四氟乙烯垫圈。这会使钨的电阻从5 µΩ·cm增加到200 µΩ·cm。甲硅烷、沉积的钨与二氧化硅的粘附性较差，六氟化钨会凝聚成浅黄色液体，然后将还原剂切换为氢气，液态和固态WF6的密度中等。这个工艺需要的WF6气体纯度很高。 在化学气相沉积中，具腐蚀性的气体， 在2.3到17 °C之间，良好的附着力和平整度。以沉积钨金属。这条分解反应较快，密度约为13 g/L， BrF3或SF4的反应。WF6气体是已知密度最高的气体之一，化学式WF6。半导体器件制造行业通常用WF6的化学气相沉积来形成钨膜。它会凝固成立方晶系的白色固体， 参考文献 六氟化物 八面体形分子 卤化钨 工业气体 催泪剂在直接氟化的一种变体中，并产生氟化氢气体： WF6 + 3 H2 → W + 6 HF 产生的钨层的结晶度可以通过改变WF6/H2混合物的比例和基质温度来控制。形成氢氟酸（HF）和钨的氟氧化物，由于WF6有较高的蒸气压， 氢气 六氟化钨和氢气的沉积过程在300到800 °C下发生，密度（）。
